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晶體尺寸：25平方毫米 晶體種類(lèi)：半導體 晶體純度：99.999 % 表征方法：EDS，SEM，Raman 其他更多定制尺寸請聯(lián)系在線(xiàn)客服
硫化鎵晶體 GaS(Gallium Sulfide) 晶體尺寸：~10毫米 電學(xué)性能：半導體 晶體結構：六邊形 晶胞參數：a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類(lèi)型：合成 晶體純度：＞99.995%
硫化鍺晶體 GeS(Germanium Sulfide) 晶體尺寸：~10毫米 電學(xué)性能：半導體 晶體結構：斜方晶系 晶胞參數：a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90° 晶體類(lèi)型：合成 晶體純度：＞99.995%
二硫化鉿晶體 HfS2 (Hafnium Disulfide) 晶體尺寸：~10毫米 電學(xué)性能：半導體 晶體結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類(lèi)型：合成 晶體純度：＞99.995%
二硫化鉬晶體（天然） MoS2(Molybdenum Disulfide) 晶體結構：六邊形 類(lèi)型：天然晶體 尺寸：~10mm-20mm 純度：99% 屬性：半導體
二硫化鉬晶體（2H-合成/99.995%/n 型） MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn 晶體尺寸:~10毫米 電學(xué)性能：N型半導體 晶體結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類(lèi)型：合成 晶體純度：＞99.995%
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